RU20P4C6 دیتاشیت

RU20P4C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU20P4C6
حجم فایل 79.635 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RU20P4C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

RU20P4C6 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU20P4C6
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 630pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 65pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,4A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon
  • Part id: 1085477

محصولات مشابه